三安光电突破AIDC电源效率瓶颈：低阻SiC衬底与S²I-ARCP拓扑实现99.6%宽负载效率

三安光电通过湖南三安将碳化硅衬底电阻率降至11mΩ•cm，并推出S²I-ARCP拓扑技术，重构算力电源能效边界。基于该技术的800V/15kW原型样机在宽负载下效率超99.6%，器件温度降低约50°C。目前产品已向头部服务器电源企业批量交货，应用于英伟达、谷歌等终端客户的AIDC场景。