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三安光电发布AIDC电源SiC解决方案

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报道摘要

三安光电通过湖南三安将碳化硅衬底电阻率降至11mΩ•cm,并推出S²I-ARCP拓扑技术,重构算力电源能效边界。基于该技术的800V/15kW原型样机在宽负载下效率超99.6%,器件温度降低约50°C。目前产品已向头部服务器电源企业批量交货,应用于英伟达、谷歌等终端客户的AIDC场景。

摘自 第一财经

报道时间线

沿着报道,了解事件的不同侧面。

11月1日
  1. 第一财经
    三安光电突破AIDC电源效率瓶颈:低阻SiC衬底与S²I-ARCP拓扑实现99.6%宽负载效率

    三安光电通过湖南三安将碳化硅衬底电阻率降至11mΩ•cm,并推出S²I-ARCP拓扑技术,重构算力电源能效边界。基于该技术的800V/15kW原型样机在宽负载下效率超99.6%,器件温度降低约50°C。目前产品已向头部服务器电源企业批量交货,应用于英伟达、谷歌等终端客户的AIDC场景。

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