美光称不跟进4F² DRAM架构

美光科技总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer在10月21日的技术研讨会上表示，美光不会采用4F² DRAM架构，理由是复杂度与成本上升。他称美光研究该方向20年，认为没有可行的微缩路径，沿此方向没有实际收益。 美光将沿6F²路径推进，1δ节点良率正在爬坡，并计划于2027年进入量产爬坡阶段；同时开发3D DRAM。在HBM产品线上，美光计划2026年推出HBM4，2027年至2030年分别推出HBM4E、HBM5、HBM5E、HBM6。

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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。