长鑫科技第六代4F²架构DRAM完成工程样片验证

长鑫科技宣布基于4F²垂直沟道架构的第六代DRAM技术平台已完成工程样片验证。该突破意味着核心性能指标在真实晶圆上达到设计预期，待客户端验证后即可进入规模量产阶段。