美光CTO回应长鑫4F²突破：坚持6F²路线，直接迈向3D DRAM

美光总裁兼CTO Scott DeBoer在10月21日技术研讨会上表示，公司虽长期评估4F²架构，仍将坚持6F²路线并直接迈向3D DRAM，认为4F²的垂直沟道晶体管缺乏可持续扩展路径。长鑫存储此前计划年底推出4F²架构DDR5 RDIMM，芯片面积可缩减约30%；三星则考虑2028年底前在0a nm节点导入4F²。瑞银指出，若行业最终倒向3D DRAM，沉积与蚀刻设备供应商有望受益。